特許

J-GLOBAL ID：200903085029291684

低誘電率ポリマー

発明者： 吉田 祐司 ,  国見 信孝
出願人/特許権者： 住友化学工業株式会社
代理人 (3件)： 久保山 隆 ,  中山 亨 ,  榎本 雅之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-002895
公開番号（公開出願番号）：特開2004-217677
出願日： 2003年01月09日
公開日（公表日）： 2004年08月05日
要約：

【課題】シリコン等の半導体基板に対する密着性が高い絶縁膜を製造し得る絶縁膜の材料を提供する。【解決手段】[1]式(1)で示される化合物の少なくとも1種と、式(3)で示される化合物の少なくとも1種とを重合して得られることを特徴とする低誘電率ポリマー。Ar-(Y)l(3)(式中、Arは、芳香環を有する基を表わす。)[2]ポリスチレン換算重量平均分子量が1000〜50000である[1]記載の低誘電率ポリマー。[3][1]または[2]記載の低誘電率ポリマーを含有してなることを特徴とする絶縁膜形成用塗布液。【選択図】 なし

請求項（抜粋）：

式(1)で示される化合物の少なくとも1種と、式(3)で示される化合物の少なくとも1種とを重合して得られることを特徴とする低誘電率ポリマー。

IPC (2件)：

C08G61/10 ,  H01L21/312

FI (2件)：

C08G61/10 ,  H01L21/312 A

Fターム (16件)：

4J032BA07 ,  4J032BA08 ,  4J032BB06 ,  4J032CA04 ,  4J032CA43 ,  4J032CE03 ,  4J032CE05 ,  4J032CE22 ,  4J032CG06 ,  5F058AA08 ,  5F058AA10 ,  5F058AC10 ,  5F058AD09 ,  5F058AF04 ,  5F058AG01 ,  5F058AH02