特許

J-GLOBAL ID：200903085030034830

半導体集積回路装置の製造方法

発明者： 森永 志郎
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 若林 忠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-140363
公開番号（公開出願番号）：特開平10-335449
出願日： 1997年05月29日
公開日（公表日）： 1998年12月18日
要約：

【要約】【課題】 配線間の静電容量を低減することができ、且つ、層間絶縁膜を平坦化できる半導体集積回路装置の製造方法を提供し、半導体集積回路装置の動作の高速化および配線部の信頼性の向上を図る。【解決手段】 配線パターンが形成された半導体基板上に、配線間に空隙部が形成されるように第1の絶縁膜を形成する工程、該空隙部が埋め込まれるように第1の絶縁膜上に平坦化膜を形成する工程、該空隙部内の平坦化膜を残して配線上の第1の絶縁膜を平坦化する工程、該空隙部内の平坦化膜を選択的に除去する工程、配線間に該空隙部が残るように第2の絶縁膜を形成する工程を実施する。

請求項（抜粋）：

配線パターンが形成された半導体基板上に、配線間に空隙部が形成されるように第1の絶縁膜を形成する工程、該空隙部が埋め込まれるように第1の絶縁膜上に平坦化膜を形成する工程、該空隙部内の平坦化膜を残して配線上の第1の絶縁膜を平坦化する工程、該空隙部内の平坦化膜を選択的に除去する工程、配線間に該空隙部が残るように第2の絶縁膜を形成する工程を有することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。