特許

J-GLOBAL ID：200903085030068964

金属層上にエピタキシャル成長した半導体層を形成する方法及びこの方法を用いて製造した光放出半導体デバイス

発明者： 角谷 正友 ,  吉本 護 ,  福家 俊郎
出願人/特許権者： 静岡大学長
代理人 (1件)： 杉村 暁秀 (外8名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-077140
公開番号（公開出願番号）：特開平11-274561
出願日： 1998年03月25日
公開日（公表日）： 1999年10月08日
要約：

【要約】【課題】 絶縁性基板上に形成した金属層上に単結晶構造の半導体層を直接形成できる金属層上に単結晶の半導体層を形成する方法を提供する。【解決手段】 本発明による金属層上に単結晶の半導体層を形成する方法においては、層形成されるべき表面を有する絶縁性基板上に金属層を形成し、この金属層(11)上に単結晶構造の半導体層を形成するに当たり、単結晶の結晶構造を有する絶縁性基板(10)上に、エピタキシャル成長した金属層(11)を形成し、この金属層上に、エピタキシャル成長法により単結晶の結晶構造を有する半導体層(12)を形成することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

層形成されるべき表面を有する絶縁性基板上に金属層を形成し、この金属層上にエピタキシャル成長した半導体層を形成するに当たり、単結晶の結晶構造を有する絶縁性基板上に、エピタキシャル成長した金属層を形成し、この金属層上に、エピタキシャル成長法により単結晶の結晶構造を有する半導体層を形成することを特徴とする金属層上にエピタキシャル成長した半導体層を形成する方法。

IPC (5件)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/205 ,  H01L 29/43

FI (5件)：

H01L 33/00 C ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/203 S ,  H01L 21/205 ,  H01L 29/46 H