特許
J-GLOBAL ID:200903085031209189
オーミツク電極
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
福森 久夫
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平3-257086
公開番号(公開出願番号):特開平5-067605
出願日: 1991年09月09日
公開日(公表日): 1993年03月19日
要約:
【要約】【目的】 製作工程における再現性、均一性を向上させることのできるオーミック電極構造を提供することを目的とする。【構成】 pまたはn型に高濃度ドーピングされた半導体の表面上に、高濃度ドーピングされた前記半導体とオーミック性の接合を形成する金属と、前記半導体を溶解しうるエッチング液に対し負の電位を有する金属とが積層して構成されていることを特徴とする。
請求項(抜粋):
pまたはn型に高濃度ドーピングされた半導体の表面上に、高濃度ドーピングされた前記半導体とオーミック性の接合を形成する金属と、前記半導体を溶解しうるエッチング液に対し負の電位を有する金属とが積層して構成されていることを特徴とするオーミック電極。
IPC (4件):
H01L 21/306
, H01L 29/46
, H01L 21/338
, H01L 29/812
引用特許:
審査官引用 (4件)
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特開平1-198078
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特開平1-072558
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特開平1-260861
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