特許
J-GLOBAL ID:200903085032980741

基板加熱装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 五十嵐 孝雄 (外3名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平8-355379
公開番号(公開出願番号):特開平10-189429
出願日: 1996年12月20日
公開日(公表日): 1998年07月21日
要約:
【要約】【課題】 装置の立ち上げ時や加熱温度の設定変更時に、基板周辺の雰囲気温度を素早く所望の定常状態の温度まで移行させることのできるようにする。【解決手段】 基板加熱用に昇温されるホットプレート40を備え、このホットプレート40の上面にスペーサとしての複数のボール44を配設し、これらボール44の上端に基板Wをホットプレートの上面から浮かせた状態で支持する。ホットプレート40の上方には、基板Wの熱処理時にホットプレート40上に降下して保温のための半密閉空間を形成するホットプレートカバー60が設けられている。このホットプレートカバー60の外側の面には、温度を調整可能な温調部66が固着されている。温調部66はペルチェ素子によって構成される。基板Wの熱処理時には、ホットプレート40の加熱とともに、温調部66を発熱させて、上記半密閉空間内の雰囲気を昇温させる。
請求項(抜粋):
上面を昇温可能なホットプレート上に基板を支持して当該基板を加熱する基板加熱装置において、前記ホットプレートの少なくとも上方を覆う部材に、温度を調整可能な温調手段を設けたことを特徴とする基板加熱装置。
IPC (6件):
H01L 21/027 ,  C23C 14/50 ,  G03F 7/38 ,  H01L 21/324 ,  H01L 23/38 ,  H05B 3/00 330
FI (7件):
H01L 21/30 567 ,  C23C 14/50 E ,  G03F 7/38 ,  H01L 21/324 Q ,  H01L 21/324 G ,  H01L 23/38 ,  H05B 3/00 330 A
引用特許:
審査官引用 (5件)
  • 半導体処理装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平4-188177   出願人:富士通株式会社, 株式会社九州富士通エレクトロニクス
  • 特開平3-276629
  • 加熱処理装置の筐体構造
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平6-153292   出願人:株式会社日立製作所
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