特許

J-GLOBAL ID：200903085035305425

絶縁体薄膜の製造方法と絶縁体薄膜および半導体装置の製造方法と半導体装置

発明者： 平野 智之
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-347931
公開番号（公開出願番号）：特開2005-116727
出願日： 2003年10月07日
公開日（公表日）： 2005年04月28日
要約：

【課題】基板および電極界面の固定電荷を低減し、さらに界面準位の増大なしにボロンの突き抜けを抑制することで、Vthシフトおよび移動度劣化のない良好なMOSFETを形成できる絶縁体薄膜を提供することを可能とする。【解決手段】原子層蒸着法を用いて基板100上に薄膜を形成する絶縁体薄膜102の製造方法であって、前記基板100の処理表面にシリコン原子層を形成し、前記シリコン原子層上に酸素原子層を形成する第1工程と、前記基板100の処理表面に金属原子層を形成し、前記金属原子層上に酸素原子層を形成する第2工程とを有することを特徴とし、前記第1工程および前記第2工程の実施回数を制御することにより前記絶縁体薄膜102中の前記金属原子の濃度を制御する絶縁体薄膜の製造方法である。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

原子層蒸着法を用いて基板上に薄膜を形成する絶縁体薄膜の製造方法であって、 前記基板の処理表面にシリコン原子層を形成し、前記シリコン原子層上に酸素原子層を形成する第1工程と、 前記基板の処理表面に金属原子層を形成し、前記金属原子層上に酸素原子層を形成する第2工程と を有することを特徴とする絶縁体薄膜の製造方法。

IPC (2件)：

H01L21/316 ,  H01L29/78

FI (3件)：

H01L21/316 X ,  H01L21/316 M ,  H01L29/78 301G

Fターム (34件)：

5F058BA20 ,  5F058BD02 ,  5F058BD04 ,  5F058BD05 ,  5F058BF02 ,  5F058BF24 ,  5F058BF29 ,  5F058BH04 ,  5F058BH16 ,  5F058BJ04 ,  5F140AA06 ,  5F140AA28 ,  5F140BA01 ,  5F140BD01 ,  5F140BD04 ,  5F140BD06 ,  5F140BD15 ,  5F140BE02 ,  5F140BE03 ,  5F140BE07 ,  5F140BE09 ,  5F140BE17 ,  5F140BE19 ,  5F140BF01 ,  5F140BF04 ,  5F140BG08 ,  5F140BG28 ,  5F140BG32 ,  5F140BG38 ,  5F140BH15 ,  5F140BK02 ,  5F140BK21 ,  5F140CB01 ,  5F140CB04

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 半導体装置とその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-255454   出願人：株式会社日立製作所
• オキシ窒化ジルコニウム及び/又はハフニウム・ゲ-ト誘電体
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-200829   出願人：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド

審査官引用 (2件)

• ウエブ・リワインダー切り離しトランスファ・アセンブリ
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2000-598430   出願人：ザプロクターエンドギャンブルカンパニー
• 半導体装置及び半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-001546   出願人：株式会社東芝