特許

J-GLOBAL ID：200903085040834878

半導体素子の製造方法および半導体素子

発明者： 築地 直樹 ,  入野 聡
出願人/特許権者： 古河電気工業株式会社
代理人 (1件)： 酒井 宏明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-206994
公開番号（公開出願番号）：特開2003-023209
出願日： 2001年07月06日
公開日（公表日）： 2003年01月24日
要約：

【要約】【課題】 半導体レーザ素子に内蔵される回折格子のように劈開面に共通構成部分を有した半導体素子を、歩留まり良く製造すること。【解決手段】 半導体プロセス技術を用いて、レーザ光の出射端面側に部分的に設けられた回折格子を有する半導体レーザ素子群LDを半導体ウェハW上に一括形成する半導体素子の製造方法であって、回折格子が設けられる各半導体レーザ素子の出射端面を対向させた配置によって、該対向する半導体レーザ素子の各回折格子を、隣接した1つの回折格子Gとして形成し、この回折格子Gを各劈開面C11〜C14で劈開してレーザバーLB1〜LB3を切り出し、その後劈開面C21〜C24によって劈開することよって半導体レーザ素子LD1,LD2を切り出す。

請求項（抜粋）：

半導体プロセス技術を用いて、各半導体素子群の一方の端部に共通の構造を有した半導体素子群を半導体基板上に一括形成する半導体素子の製造方法であって、前記共通の構造を有した一方の端部を対向させた配置によって、該対向する半導体素子の各共通の構造を、隣接した1つの共通の構造として形成する共通構造形成工程を含むことを特徴とする半導体素子の製造方法。

IPC (2件)：

H01S 5/12 ,  H01S 5/028

FI (2件)：

H01S 5/12 ,  H01S 5/028

Fターム (11件)：

5F073AA46 ,  5F073AA64 ,  5F073AA65 ,  5F073AA74 ,  5F073AA83 ,  5F073CA12 ,  5F073CB02 ,  5F073DA32 ,  5F073DA33 ,  5F073DA34 ,  5F073EA03

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平2-142194
  
• 光半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-373478   出願人：日本電気株式会社
• 特開平2-142194