特許
J-GLOBAL ID:200903085042883450
電界発光デバイス
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
石田 敬 (外4名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-178712
公開番号(公開出願番号):特開2002-093582
出願日: 2001年06月13日
公開日(公表日): 2002年03月29日
要約:
【要約】 (修正有)【課題】高分子ELデバイスに有用な発光性高分子材料、及びエネルギーバンドギャップの種類が多く発色範囲が広い発光性高分子を提供する。【解決手段】アノード、カソード及び、当該アノードと当該カソードとの間に配置された高分子発光材料を含んで成り、当該高分子発光材料が下記構造式で表されるジフェニルアントラセン系共役ポリマーを含むことを特徴とする電界発光デバイス。【化1】
請求項(抜粋):
アノード、カソード及び、当該アノードと当該カソードとの間に配置された高分子発光材料を含んで成り、当該高分子発光材料が下記構造式で表されるジフェニルアントラセン系共役ポリマーを含むことを特徴とする電界発光デバイス。【化1】(上式中、置換基R1、R2、R3及びR4は、各々独立に、水素、炭素原子数1〜24のアルキル基もしくはアルコキシ基、炭素原子数6〜28のアリールもしくは置換アリール基、又は炭素原子数4〜40のヘテロアリールもしくは置換ヘテロアリール基を表し、R5及びR6は、各々独立に、水素、炭素原子数1〜24のアルキル基、炭素原子数6〜28のアリールもしくは置換アリール基、炭素原子数4〜40のヘテロアリールもしくは置換ヘテロアリール基、又はシアノ基を表し、そしてArは、炭素原子数6〜40のアリールもしくは置換アリール基、又は炭素原子数4〜40のヘテロアリールもしくは置換ヘテロアリール基を表す。)
IPC (3件):
H05B 33/14
, C08G 16/02
, C09K 11/06 680
FI (3件):
H05B 33/14 B
, C08G 16/02
, C09K 11/06 680
Fターム (11件):
3K007AB03
, 3K007AB04
, 3K007CA01
, 3K007CB01
, 3K007DA00
, 3K007DB03
, 3K007EB00
, 3K007FA01
, 4J033GA01
, 4J033GA11
, 4J033GA12
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