特許
J-GLOBAL ID:200903085044410681

半導体圧力検出装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 下出 隆史 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-192000
公開番号(公開出願番号):特開平11-023395
出願日: 1997年07月01日
公開日(公表日): 1999年01月29日
要約:
【要約】【課題】 電極接合部等の劣化防止を簡単な構造でもって可能とする。【解決手段】 ハウジング12にプレート20が嵌合して固定されている。プレート20には、厚さ方向に貫通する4つの貫通孔20a〜20dが、同心円上にそれぞれあけられ、アルマイト処理を施したアルミニウム製の棒体22が焼きばめによりそれぞれ組付けられている。このプレート20上には、半導体圧力センサ素子30が電極側をプレート20に向けて、次のようにして固着されている。すなわち、その電極側の面の外側の環状の範囲に接着剤33を塗布してプレート20と固着されている。電極は、はんだバンプ34によりプレート20の棒体22に電気的に接続される。
請求項(抜粋):
ハウジングと、該ハウジングに固定されるプレートと、電極を片側の表面に備え、該片側の表面を前記プレート側に向ける半導体圧力センサ素子と、前記プレートと半導体圧力センサ素子とを前記電極を囲む位置で互いに接合して、前記電極の周囲を気密状態とする接合部と、前記プレートに設けられ、一端を前記気密状態の部位に露出する信号引き出し用の端子電極と、該端子電極の前記露出部分と前記半導体圧力センサ素子の電極とを電気的に接続する電気的接続部とを備える半導体圧力検出装置。

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