特許
J-GLOBAL ID：200903085044711592
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-184239
公開番号（公開出願番号）：特開平7-045715
出願日： 1993年07月26日
公開日（公表日）： 1995年02月14日
要約：
【要約】【目的】 第1導電型のチャネルを有する第1トランジスタと第2導電型のチャネルを有する第2トランジスタとが同一半導体基板上に形成される半導体装置の製造方法において、レジスト膜によるマスク工程の削減およびイオン注入工程の削減を図ることができる半導体装置の製造方法を提供すること。【構成】 選択酸化による素子分離領域34を形成する前に、半導体基板20の表面に、N型トランジスタのチャネルストッパ用イオン注入を行う。次に、素子分離パターンに対応して、半導体基板20の表面を選択酸化し、素子分離領域34を形成する。選択酸化時に、イオン注入時にイオン注入された不純物を、素子分離領域32の下部で拡散させ、N型トランジスタに対して狭チャネル効果を積極的に引き起こし、N型トランジスタのしきい値電圧を高めに調整する。その結果、しきい値電圧調整用のイオン注入を別途行う必要がなくなる。
請求項（抜粋）：
第1導電型のチャネルを有する第1トランジスタと第2導電型のチャネルを有する第2トランジスタとが同一半導体基板上に形成される半導体装置の製造方法において、選択酸化による素子分離領域を形成する前に、半導体基板の表面に、第1トランジスタのチャネルストッパ用イオン注入を行う工程と、その後、素子分離パターンに対応して、半導体基板の表面を選択酸化し、素子分離領域を形成する工程とを有し、上記選択酸化時に、上記イオン注入時にイオン注入された不純物が、素子分離領域下部で拡散し、第1トランジスタに対して狭チャネル効果を積極的に引き起こし、第1トランジスタのしきい値電圧を高めに調整することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/8242
, H01L 27/108
, H01L 21/8238
, H01L 27/092
H01L 27/10 325 R
, H01L 27/08 321 D
