半導体発光素子

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：植本雅治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-143480
公開番号（公開出願番号）：特開平10-321910
出願日： 1997年05月16日
公開日（公表日）： 1998年12月04日
要約：

【要約】【課題】結晶欠陥や歪みなどが少なく、作製工程が容易で歩留りの良好な高性能のGaN系化合物半導体発光素子を提供する。【解決手段】基板11の主面上に、(10-10)m面を側面とする柱状構造12が、基板11の主面と垂直に形成されており、その柱状構造12の側面の全部あるいは一部には、少なくとも1つのp-n接合を含むGaN系窒化物半導体積層構造(InAlGaN系窒化物半導体積層構造)13,14,15,16が積層され、この積層構造13,14,15,16に電流を注入するためのp型,n型に対応した電極18,17が形成されている。この電極18,17に電流を注入することにより、InAlGaN系窒化物半導体積層構造13,14,15,16の発光領域が発光し、発光した光は、基板11の主面と垂直の方向R1,R2に放出される。

請求項（抜粋）：

GaN系窒化物半導体の積層構造を有する半導体発光素子において、基板主面上に、(10-10)m面を側面とする六角柱状構造の全部あるいは一部からなる柱状構造が、基板主面と垂直に形成され、該柱状構造の側面の全部あるいは一部には、少なくとも一つのp-n接合を含むGaN系窒化物半導体積層構造が積層され、GaN系窒化物半導体積層構造に電流を注入することにより、基板主面と垂直の方向に光が取り出されることを特徴とする半導体発光素子。

IPC (2件)：

H01L 33/00 , H01S 3/18

FI (2件)：

H01L 33/00 C , H01S 3/18

引用特許：

審査官引用 (4件)

半導体レーザ素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-203057 出願人：株式会社日立製作所
特開昭63-107075
特開平4-242985

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