多孔質シリカ誘導体

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-333453
公開番号（公開出願番号）：特開2007-137819
出願日： 2005年11月17日
公開日（公表日）： 2007年06月07日
要約：

【課題】本発明は優れた触媒能を有する多孔質シリカ誘導体を提供することを目的とする。【解決手段】 d間隔が2nmより大きい位置に少なくとも1つのピークを持つX線回折パターンを有し、細孔経2〜5nm、細孔容量0.3〜1.5cm3/g、比表面積300〜1500m2/gであって、 YXnNH2 〔式中、XnはCnH2n、YはOCNH、nは1〜5の整数を示す。〕で表される構造を持つアミノ化合物を含有する多孔質シリカ誘導体を調製する。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

d間隔が2nmより大きい位置に少なくとも1つのピークを持つX線回折パターンを有し、平均細孔径2〜8nm、細孔容量0.3〜1.5cm3/g、比表面積200〜1500m2/gであって、 YXnNH2 〔式中、XnはCnH2n、YはOCNH、nは1〜5の整数を示す。〕で表される構造を有するアミノ化合物を含有する多孔質シリカ誘導体。

IPC (4件)：

C07F 7/10 , B01J 31/26 , B01J 35/10 , C01B 33/18

FI (4件)：

C07F7/10 D , B01J31/26 Z , B01J35/10 301G , C01B33/18 Z

Fターム (59件)：

4G072AA25 , 4G072BB05 , 4G072GG02 , 4G072HH21 , 4G072JJ14 , 4G072JJ47 , 4G072LL06 , 4G072MM02 , 4G072QQ20 , 4G072RR12 , 4G072TT05 , 4G072TT08 , 4G072TT09 , 4G072UU15 , 4G169AA01 , 4G169AA03 , 4G169AA12 , 4G169BA02B , 4G169BA21A , 4G169BA21B , 4G169BE14A , 4G169BE14B , 4G169CB25 , 4G169CB59 , 4G169EA01Y , 4G169EC03X , 4G169EC03Y , 4G169EC04X , 4G169EC04Y , 4G169EC05X , 4G169EC05Y , 4G169EC06X , 4G169EC06Y , 4G169EC07X , 4G169EC07Y , 4G169EC08X , 4G169EC08Y , 4G169EC14X , 4G169EC14Y , 4G169FA01 , 4G169FC08 , 4H006AA02 , 4H006AC25 , 4H006BA51 , 4H006BA53 , 4H006QN30 , 4H039CA21 , 4H039CA70 , 4H039CD40 , 4H039CL25 , 4H049VN01 , 4H049VP01 , 4H049VP10 , 4H049VQ37 , 4H049VR21 , 4H049VR43 , 4H049VS21 , 4H049VU33 , 4H049VW02

引用特許：

出願人引用 (1件)

米国特許第6288253号(第1頁〜第15頁)

引用文献：

審査官引用 (1件)

Journal of Applied Polymer Science, 2003, 90(14), pp.3905-3911

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