特許
J-GLOBAL ID：200903085051686137
モノリシツク光素子およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
谷 義一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-264605
公開番号（公開出願番号）：特開平5-110186
出願日： 1991年10月14日
公開日（公表日）： 1993年04月30日
要約：
【要約】【目的】 モノリシック光素子におけるp-nホモ接合を生じさせず、キャパシタンスを小さくし、高速動作を可能とする。【構成】 場所的に異なる厚みの量子井戸層もしくは多重量子井戸層を有し、かつ機能の異なる2つ以上の機能部が同一半導体基板上に一括成長によって形成されてなるモノリシック光素子である。この光素子は量子井戸層もしくは多重量子井戸層6を挾む第1導電形のクラッド層7および第2導電形のクラッド層5の側面がそれぞれ半絶縁性半導体層14および第2導電形のクラッド層15で覆われている。
請求項（抜粋）：
場所的に異なる厚みの量子井戸層もしくは多重量子井戸層を有し、かつ機能の異なる2つ以上の機能部が同一半導体基板上に一括成長によって形成されてなるモノリシック光素子において、前記量子井戸層もしくは多重量子井戸層を挾む第1導電形のクラッド層および第2導電形のクラッド層の側面がそれぞれ他の導電形層と接しない構造を有することを特徴とするモノリシック光素子。
引用特許：
前のページに戻る
