特許

J-GLOBAL ID：200903085065971268

半導体ウエハ研磨方法、半導体ウエハ研磨装置、及び研磨ウエハ

発明者： 林 健郎 ,  山下 純一 ,  川副 公之 ,  南 秀旻 ,  波田野 光一
出願人/特許権者： 株式会社スーパーシリコン研究所 ,  ラップマスターエスエフティ株式会社
代理人 (1件)： 佐藤 正年 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-110639
公開番号（公開出願番号）：特開平11-307485
出願日： 1998年04月21日
公開日（公表日）： 1999年11月05日
要約：

【要約】【課題】 半導体ウエハの清浄度の向上及び製造効率の向上を図る。【解決手段】 ウエハ基板の表面を研磨材を含んだ研磨液を用いて鏡面状に研磨する鏡面研磨工程と、鏡面研磨後に、ウエハ基板の表面を洗浄水と接した状態で研磨する水研磨工程とを有する半導体ウエハ研磨方法において、前記水研磨工程中又はその直後に、前記ウエハ表面にオゾン水又は過酸化水素水を接触させて酸化膜を形成する酸化膜形成工程を有する。

請求項（抜粋）：

ウエハ基板の表面を研磨材を含んだ研磨液を用いて鏡面状に研磨する鏡面研磨工程と、鏡面研磨後に、ウエハ基板の表面を洗浄水と接した状態で研磨する水研磨工程とを有する半導体ウエハ研磨方法において、前記水研磨工程中又はその直後に、前記ウエハ表面にオゾン水又は過酸化水素水を接触させて酸化膜を形成する酸化膜形成工程を有することを特徴とする半導体ウエハ研磨方法。

IPC (3件)：

H01L 21/304 622 ,  H01L 21/304 621 ,  H01L 21/316

FI (3件)：

H01L 21/304 622 P ,  H01L 21/304 621 D ,  H01L 21/316 U