特許

J-GLOBAL ID：200903085070918316

半導体装置

発明者： 河路 佐智子 ,  石子 雅康 ,  杉山 隆英 ,  臼井 正則 ,  斎藤 順 ,  堀田 幸司
出願人/特許権者： 株式会社豊田中央研究所 ,  トヨタ自動車株式会社
代理人 (1件)： 特許業務法人快友国際特許事務所
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2005008717
公開番号（公開出願番号）：WO2005-109521
出願日： 2005年05月12日
公開日（公表日）： 2005年11月17日
要約：

IGBTのボディ領域内に形成されるフローティング状態の半導体領域の広い範囲に亘って、正孔キャリアを蓄積する作用が発揮されるようにする。 p-型のボディ領域28内に形成されており、ボディ領域28によってn+型のエミッタ領域32とn-型のドリフト領域26の双方から隔てられており、電位がフローティングしているn型の半導体領域52が形成されている。さらに、その半導体領域52の少なくとも一部に絶縁膜64を介して対向するとともに、エミッタ領域32に対向していない第2電極62が形成されている。

請求項（抜粋）：

第1導電型エミッタ領域、 第1導電型エミッタ領域に接する第2導電型ボディ領域、 第2導電型ボディ領域に接するとともに、第2導電型ボディ領域によって第1導電型エミッタ領域から隔てられている第1導電型ドリフト領域、 第1導電型エミッタ領域と第1導電型ドリフト領域を隔てている第2導電型ボディ領域を貫通して第1導電型エミッタ領域から第1導電型ドリフト領域まで伸びており、ゲート絶縁膜を介して第2導電型ボディ領域に対向するゲート電極、 第2導電型ボディ領域内に形成されており、第2導電型ボディ領域によって第1導電型エミッタ領域と第1導電型ドリフト領域の双方から隔てられており、電位がフローティングしている第1導電型半導体領域、 第1導電型半導体領域の少なくとも一部に絶縁膜を介して対向するとともに、第1導電型半導体領域と第1導電型エミッタ領域を隔てている第2導電型ボディ領域には対向していない第2電極、 を備えているIGBT。

IPC (2件)：

H01L 29/78 ,  H01L 29/739

FI (6件)：

H01L29/78 652C ,  H01L29/78 655B ,  H01L29/78 653A ,  H01L29/78 652K ,  H01L29/78 652N ,  H01L29/78 652M