フリップ・チップ実装用バインダー及びこれを用いた半導体装置の製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：中前富士男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-153571
公開番号（公開出願番号）：特開2001-332663
出願日： 2000年05月24日
公開日（公表日）： 2001年11月30日
要約：

【要約】【課題】リードフレーム回路基板を用いた導体回路基板に適応し、半導体チップに形成された電極バンプと導体回路基板の内部接続端子パッドとの電気的導通回路を形成する機械的接触を保持し、長期の信頼性の高い、高品質のフリップ・チップ実装用バインダー及びこれを用いた半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】予めリードフレーム回路基板12を用いた導体回路基板に適応した特性を有するフリップ・チップ実装用バインダーを準備し、導体回路基板の中央部上面に、バインダー層27を所定量形成し、裏面側に導体回路基板の各導体リード14の内部接続端子パッド15に最終的に接続される複数の電極バンプ19を備えるフリップ・チップ17aを載せた後、全体を加熱・押圧して樹脂封止を行って半導体パッケージ28を形成し、半導体パッケージ28の周囲のダイシング加工を行って半導体装置10を形成する。

請求項（抜粋）：

半導体チップの複数の電極パッド上に電極バンプを備えたフリップ・チップを、導体回路基板の前記電極バンプに対応するそれぞれの接続端子パッドにフェースダウン状態で実装する際に、前記フリップ・チップと前記導体回路基板との間に介在させ、前記導体回路基板の接続端子パッドと前記電極バンプとの間に電気的導通回路を形成する機械的接続を保持すると共に、前記フリップ・チップと前記導体回路基板との間を充填・接合するフリップ・チップ実装用バインダーにおいて、エポキシ系樹脂を主剤とし、フィラー、硬化剤、反応性希釈剤を含む構成とされており、しかもガラス転移点温度が150°C〜170°Cで、且つ熱膨張係数が前記ガラス転移点温度未満のとき33〜45ppm/°C、前記ガラス転移点温度以上のとき110〜120ppm/°Cの硬化物特性を有し、更には、その粘度が900〜1100cpsの特性を有するエポキシ系熱硬化性接着剤であることを特徴とするフリップ・チップ実装用バインダー。

IPC (5件)：

H01L 23/29 , H01L 23/31 , C09J163/00 , H01L 21/60 311 , H01L 21/60

FI (4件)：

C09J163/00 , H01L 21/60 311 S , H01L 21/60 311 R , H01L 23/30 R

Fターム (21件)：

4J040EC001 , 4J040HA136 , 4J040HA206 , 4J040HA306 , 4J040HA326 , 4J040KA16 , 4J040KA24 , 4J040KA42 , 4J040LA02 , 4J040NA20 , 4M109AA01 , 4M109BA04 , 4M109CA22 , 4M109EA02 , 4M109EB12 , 4M109EB13 , 4M109EC09 , 5F044LL11 , 5F044LL15 , 5F044NN03 , 5F044RR17

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