特許

J-GLOBAL ID：200903085073006890

薄膜形成装置のクリーニング方法

発明者： 毛利 勇 ,  藤井 正 ,  中川 伸介 ,  新井 博通
出願人/特許権者： セントラル硝子株式会社
代理人 (1件)： 坂本 栄一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-242365
公開番号（公開出願番号）：特開平7-099174
出願日： 1993年09月29日
公開日（公表日）： 1995年04月11日
要約：

【要約】【目的】 薄膜形成装置の目的物以外の装置内壁や治具等に堆積した堆積物(タングステン、タングステンシリサイド、炭化タングステン、チタン、窒化チタン、炭化チタン、シリコン、ゲルマニウム、窒化珪素、酸化窒化珪素、タンタル、酸化タンタル、モリブデン、モリブデンシリサイド、レニウム、レニウムシリサイド)を除去する。【構成】 三フッ化窒素にフッ素を添加した混合ガス組成物により、150〜600°Cの温度範囲で反応除去する。

請求項（抜粋）：

三フッ化窒素にフッ素を添加した混合ガス組成物により、タングステン、タングステンシリサイド、炭化タングステン、モリブデン、モリブデンシリサイド、レニウム、レニウムシリサイド、チタン、窒化チタン、炭化チタン、タンタル、酸化タンタル、窒化珪素、シリコン、酸化窒化珪素、ゲルマニウムを150〜600°Cの温度範囲で反応除去することを特徴とする薄膜形成装置のクリーニング方法。

IPC (4件)：

H01L 21/304 341 ,  B08B 7/00 ,  H01L 21/285 ,  C11D 3/02