特許

J-GLOBAL ID：200903085073251185

フラーレン含有レジスト材料を用いたデバイス作製プロセス

発明者： チャン-ベオム エオム ,  アーサー フォスター ヘバード ,  グレゴリー ピーター コチャンスキー
出願人/特許権者： エイ・ティ・アンド・ティ・コーポレーション
代理人 (1件)： 岡部 正夫 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-051493
公開番号（公開出願番号）：特開平7-134413
出願日： 1994年03月23日
公開日（公表日）： 1995年05月23日
要約：

【要約】【目的】 本発明はデバイス作製のためのリソグラフィープロセスにおけるフラーレン含有レジスト材料の使用に関する。【構成】 レジスト材料は、基板上に乾式方式で堆積させ、基板上に薄膜を形成する。レジスト薄膜の部分を選択的に露出し、それにより像を形成し、多くの方法を用いて現像することによって、パターンがレジスト薄膜中に導入される。次に、パターンは反応性イオンエッチング又は他の許容しうる技術により、基板中に転写される。

請求項（抜粋）：

基板上にフラーレン含有レジスト材料を含む像形成層を堆積する工程;第1の気体の存在下で、像形成層の一部を、放射に露出させ、それにより像形成層上にパターンを規定する露出された領域及び露出されない領域が形成される工程;及び像形成層中にパターンを現像する工程を含むデバイス作製プロセス。

IPC (5件)：

G03F 7/038 505 ,  C08K 3/04 KAB ,  C08L101/00 LTB ,  G03F 7/004 501 ,  H01L 21/027