特許
J-GLOBAL ID：200903085074389636
半導体装置並びにその製造方法及びその製造装置
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
松浦 憲三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-058057
公開番号（公開出願番号）：特開平5-253447
出願日： 1992年03月16日
公開日（公表日）： 1993年10月05日
要約：
【要約】【目的】ウエハへの化学汚染物質、特にHCl、HF、SO2 の酸性ガスに汚染されずに製造される半導体装置、その製造方法及びその製造装置を提供する。【構成】半導体装置の製造装置20内へクリーンルームの空気を取り込むファン42とHEPAフィルタ38との間に格子構造状のガス吸着フィルタ40を取付けた空気清浄ユニットを設ける。そして、前記空気清浄ユニットで清浄化した空気を製造装置20に取り込む。これにより、前記製造装置20内に取り込まれる空気中の化学汚染物質濃度を著しく低減させることができるので、製造装置20で活性な表面を露呈した半導体ウエハを待機、移動させる際、前記半導体ウエハを化学汚染物質で汚染することがない。従って、本発明の製造装置20を用い本発明の製造方法で製造される半導体装置は、活性な表面を露呈した半導体ウエハを汚染する要因が除去されるのでデバイス不良を低減することができる。
請求項（抜粋）：
活性な表面を露呈した半導体ウエハ又は活性な表面を露呈させる半導体ウエハを筐体内のホルダーに移載し、次に前記ホルダーから前記筐体内に設けられた処理部に移動して高温処理又は洗浄処理し、次に前記処理の終了した半導体ウエハを前記筐体外に移動する半導体装置の製造方法に於いて、前記移載及び移動を行う空間に、化学汚染物質を低減させた清浄空気を供給することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (4件)：
B01D 53/34 134
, B01D 46/00
, H01L 21/304 341
, H01L 21/68
