薄膜太陽電池の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山口巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-051480
公開番号（公開出願番号）：特開平7-263728
出願日： 1994年03月23日
公開日（公表日）： 1995年10月13日
要約：

【要約】【目的】a-Siによりp-i-n接合を形成するためにn層の上にi層を成膜した場合に、i層中に拡散した燐の影響を硼素による中性化により取り除く。【構成】n層形成後、その表面に硼素を含むガスを接触させて硼素を付着させ、そのあとi層を形成すると、硼素が燐と相似の濃度プロファイルを示して中性化を行うことができ、キャリアの収集効率が向上する。

請求項（抜粋）：

n層、i層、p層の順に形成したシリコンを主成分とする非晶質材料を主体とするp-i-n接合を有する薄膜太陽電池の製造方法において、n層の形成後にその表面に硼素を付着させたのちi層を形成することを特徴とする薄膜太陽電池の製造方法。

引用特許：

審査官引用 (2件)

特開昭62-200773
特開昭61-194880

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