特許
J-GLOBAL ID：200903085075877286
電力用半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
宮田 金雄
, 高瀬 彌平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-013366
公開番号（公開出願番号）：特開2004-228286
出願日： 2003年01月22日
公開日（公表日）： 2004年08月12日
要約：
【課題】ヒートシンク上に絶縁基板を介し半導体素子を戴置し周囲を樹脂でモールドした電力用半導体装置において、鉛フリーはんだを用いた場合でも、従来の鉛含有はんだを使用した場合と同等以上のヒートサイクル寿命を確保する。【解決手段】半導体装置は、ヒートシンク1と、基板下はんだ7によりヒートシンク1の上に固着された絶縁基板2と、半導体素子下はんだ8により絶縁基板2の上に固着された半導体素子6と、絶縁基板2の周囲に形成されたモールド樹脂14とを備え、モールド樹脂14のヒートシンク1よりの高さを絶縁基板の上表面の高さ以上で、かつ半導体素子6の上表面の高さ以下とした。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
ヒートシンクと、
前記ヒートシンク上に戴置され、2つの平行な表面を有する絶縁基材の一方の表面上に回路パターンを配設し、他方の表面上に裏面パターンを配設し構成される絶縁基板と、
前記裏面パターンと前記ヒートシンクとを接合している基板下はんだと、
前記絶縁基板の上に戴置され、2つの平行な表面を有する少なくとも1つの半導体素子と、
前記半導体素子の一方の表面と前記回路パターンとを接合している半導体素子下はんだと、
前記ヒートシンク上で前記絶縁基板の周囲に形成され、前記ヒートシンクよりの高さが前記絶縁基材の一方の表面の高さ以上で、かつ前記半導体素子の他方の表面の高さ以下であるモールド樹脂と、
を備える電力用半導体装置。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (3件)：
5F036AA01
, 5F036BB14
, 5F036BC06
