特許

J-GLOBAL ID：200903085076239933

プラズマ処理装置およびその制御方法

発明者： 田原 一弘 ,  百瀬 賢次
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社 ,  東京エレクトロン山梨株式会社
代理人 (1件)： 亀谷 美明 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-312683
公開番号（公開出願番号）：特開平7-142199
出願日： 1993年11月17日
公開日（公表日）： 1995年06月02日
要約：

【要約】【目的】 エッチング形状の制御を行うことが可能な処理装置を提供する。【構成】 本発明によれば、高周波発振器24から発振される2つの高周波出力の位相差を処理室2内の処理状況に応じて変更することにより、異方性エッチングと等方性エッチングを切り換えることが可能であり、特に超微細加工を行う場合に、位相差を任意に制御することによりエッチング形状を精密に制御することが可能である。

請求項（抜粋）：

処理室内に配置され被処理体が載置される下部電極と、前記処理室内において前記下部電極に対向する位置に配置される上部電極とを備えたプラズマ処理装置において、第1および第2の高周波出力を有する高周波発振器と、第1および第2の高周波出力をそれぞれ位相制御するための位相制御器と、その位相制御器により位相制御された第1の高周波出力を第1の増幅手段により増幅して前記上部電極に印加するための第1の回路手段と、前記位相手段により位相制御された第2の高周波出力を第2の増幅手段により増幅して前記下部電極に印加するための第2の回路手段と、前記処理室内の反応生成物を検出しその検出信号を位相制御器に送信する検出器とから成ることを特徴とする、プラズマ処理装置。

IPC (7件)：

H05H 1/46 ,  C23C 14/34 ,  C23C 14/40 ,  C23C 16/50 ,  C23C 16/52 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/3065