特許
J-GLOBAL ID：200903085079968065
ポリシリコン薄膜トランジスタの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山口 邦夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-016853
公開番号（公開出願番号）：特開平5-218423
出願日： 1992年01月31日
公開日（公表日）： 1993年08月27日
要約：
【要約】【目的】ON電流の飽和現象を起こさず、ターンオン特性を改善し得るポリシリコン薄膜トランジスタの製造方法を提供する。【構成】絶縁基板11上に形成されるポリシリコン薄膜トランジスタの製造方法であって、上記絶縁基板11上にゲート電極12、ゲート絶縁膜13を順次形成する工程、上記ゲート絶縁膜13上にポリシリコン膜14を形成した後、該ポリシリコン膜14のチャネル領域14cにのみ酸素プラズマを照射する工程、上記ポリシリコン膜14上及び上方に層間絶縁膜17を形成する工程、上記層間絶縁膜17上にプラズマシリコン窒化膜19を形成する工程、を含む。
請求項（抜粋）：
絶縁基板上に形成されるポリシリコン薄膜トランジスタの製造方法であって、前記絶縁基板上にゲート電極、ゲート絶縁膜を順次形成する工程、前記ゲート絶縁膜上にポリシリコン膜を形成した後、該ポリシリコン膜のチャネル領域にのみ酸素プラズマを照射する工程、前記ポリシリコン膜上及び上方に層間絶縁膜を形成する工程、前記層間絶縁膜上にプラズマシリコン窒化膜を形成する工程、を含むことを特徴とするポリシリコン薄膜トランジスタの製造方法。
IPC (2件)：
H01L 29/784
, H01L 21/318
