特許
J-GLOBAL ID：200903085084354270

IGウェーハの製造方法及びこの方法で作られたIGウェーハ

発明者：
塩多 孝明

塩多 孝明 について

, 
降屋 久

降屋 久 について

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中田 嘉信

中田 嘉信 について


出願人/特許権者：
三菱マテリアルシリコン株式会社

三菱マテリアルシリコン株式会社 について


代理人 (1件)： 須田 正義
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-005210
公開番号（公開出願番号）：特開2001-189317
出願日： 2000年01月05日
公開日（公表日）： 2001年07月10日
要約：
【要約】【課題】 点欠陥の凝集体が存在しないことに加えて、ウェーハの状態での熱処理回数が少なくして所望のIG効果を発揮する。【解決手段】 OSF顕在化熱処理をした際にウェーハ総面積の25%以上にOSFが発生しかつ転位発生を伴わない酸素析出物を1×105〜3×107個/cm2密度で発生するシリコンウェーハを水素ガス又は水素ガスを含む雰囲気下で室温から1100〜1250°Cまで3°C/分〜150°C/秒の昇温速度で急速加熱し、1分〜2時間保持する。
請求項（抜粋）：
OSF顕在化熱処理をした際にウェーハ総面積の25%以上にOSFが発生しかつ転位発生を伴わない酸素析出物を1×105〜3×107個/cm2密度で発生するシリコンウェーハを水素ガス又は水素ガスを含む雰囲気下で室温から1100〜1250°Cまで3°C/分〜150°C/秒の昇温速度で急速加熱し、1分〜2時間保持するIGウェーハの製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/322 ,  C30B 29/06 ,  H01L 21/26 ,  H01L 21/324
FI (4件)：
H01L 21/322 Y ,  C30B 29/06 B ,  H01L 21/324 X ,  H01L 21/26 F
Fターム (8件)：
4G077AA02 ,  4G077AB01 ,  4G077BA04 ,  4G077FE02 ,  4G077FE03 ,  4G077FE05 ,  4G077FE11 ,  4G077FE12
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (2件)

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