イメ-ジセンサ及びその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：瀬谷徹 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-364287
公開番号（公開出願番号）：特開2000-196053
出願日： 1999年12月22日
公開日（公表日）： 2000年07月14日
要約：

【要約】【課題】製造上の信頼性を向上させたイメージセンサ製造方法を提供する【解決手段】受光素子が形成された基板上に保護膜を形成する第1ステップ、上記保護膜上に平坦化第1フォトレジストを塗布して、パッドオープン地域の上記保護膜が露出されるように上記第1フォトレジストを露光及び現像する第2ステップ、上記第1フォトレジスト上にカラーフィルタアレイを形成する第3ステップ、上記第3ステップが完了した基板上に平坦化第2フォトレジストを塗布して、パッドオープン地域の上記保護膜が露出されるように上記第2フォトレジストを露光及び現像する第4ステップ、露出された上記保護膜を蝕刻してパッドオープン部を形成する第5ステップ、上記第2フォトレジスト上にマイクロレンズを形成する第6ステップとを含んでなる。

請求項（抜粋）：

イメージセンサ製造方法において、受光素子が形成された基板上に保護膜を形成する第1ステップと、上記保護膜上に平坦化第1フォトレジストを塗布し、パッドオープン地域の上記保護膜が露出するように上記第1フォトレジストを露光及び現像する第2ステップと、上記第1フォトレジスト上にカラーフィルタアレイを形成する第3ステップと、上記第3ステップが完了した基板上に平坦化第2フォトレジストを塗布し、パッドオープン地域の上記保護膜が露出するように上記第2フォトレジストを露光及び現像する第4ステップと、露出した上記保護膜を蝕刻してパッドオープン部を形成する第5ステップと、上記第2フォトレジスト上にマイクロレンズを形成する第6ステップと、を含んでなることを特徴とするイメージセンサの製造方法。

IPC (4件)：

H01L 27/14 , G02B 3/00 , G02B 5/20 101 , H01L 31/0232

FI (4件)：

H01L 27/14 D , G02B 3/00 Z , G02B 5/20 101 , H01L 31/02 D

引用特許：

審査官引用 (2件)

特開昭62-086303
固体撮像素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-064827 出願人：ソニー株式会社

前のページに戻る