特許

J-GLOBAL ID：200903085087570038

ハイブリッドリレー装置

発明者： 秋成 芳範 ,  村田 之広 ,  北村 常弘
出願人/特許権者： 松下電工株式会社
代理人 (1件)： 安藤 淳二 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-038994
公開番号（公開出願番号）：特開平11-238441
出願日： 1998年02月20日
公開日（公表日）： 1999年08月31日
要約：

【要約】【課題】 半導体スイッチ部を保護するとともにアーク発生を防止して高容量で且つ長寿命化の図れるものにする。【解決手段】 励磁コイル20に流れる励磁電流によってオン/オフされる接点スイッチ部21を有する接点スイッチ機構2 と、ゲート電流によってオン/オフされる半導体スイッチ部3Qを有する半導体スイッチ機構3 とを備え、接点スイッチ部は半導体スイッチ部を並列に含んで接続されており、負荷電源A から負荷L に対して電力供給をオン/オフするときに、接点スイッチ部にアークが生じないように半導体スイッチ部をオン/オフ制御するようにしたハイブリッドリレー装置1において、半導体スイッチ部に負特性サーミスタNTC を直列に接続した第1の回路4 を形成するとともに、第1の回路に接点スイッチ部を並列に接続した第2の回路5 を形成した。

請求項（抜粋）：

励磁コイルに流れる励磁電流によってオン/オフされる接点スイッチ部を有する接点スイッチ機構と、ゲート電流によってオン/オフされる半導体スイッチ部を有する半導体スイッチ機構とを備え、前記接点スイッチ部は前記半導体スイッチ部を並列に含んで接続されており、負荷電源から負荷に対して電力供給をオン/オフするときに、前記接点スイッチ部にアークが生じないように前記半導体スイッチ部をオン/オフ制御するようにしたハイブリッドリレー装置において、前記半導体スイッチ部に負特性サーミスタを直列に接続した第1の回路を形成するとともに、該第1の回路に前記接点スイッチ部を並列に接続した第2の回路を形成したことを特徴とするハイブリッドリレー装置。