フラッシュメモリ内蔵半導体装置及びフラッシュメモリアドレス変換方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：吉田茂明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-237946
公開番号（公開出願番号）：特開2001-067258
出願日： 1999年08月25日
公開日（公表日）： 2001年03月16日
要約：

【要約】【課題】フラッシュメモリの長寿命化が実現できるフラッシュメモリ内蔵半導体装置及びフラッシュメモリアドレス変換方法を得ることを目的とする。【解決手段】アクセス部100は、外部からの論理アドレスに対応する物理アドレスへのアクセスを行う。論理物理変換テーブル用バッファ5は、フラッシュメモリ3の複数の物理アドレスのうち、論理アドレスに対応する物理アドレスを論理物理変換テーブル用バッファ5に登録しておき、それ以外を、空き物理アドレステーブル用バッファ6に登録しておく。CPU7は、フラッシュメモリ3へのアクセスがライトアクセスのときについては、論理物理変換テーブル用バッファ5内の当該ライトアクセスに係る論理アドレスに対応する物理アドレスと空き物理アドレステーブル用バッファ6内の一の物理アドレスとを交換する。

請求項（抜粋）：

複数の物理アドレスが割り当てられたフラッシュメモリと、論理アドレスを受け、当該論理アドレスに対応する前記物理アドレスへのアクセスを行うためのアクセス部と、を備え、前記アクセス部は、前記複数の物理アドレスのうち、前記論理アドレスに対応する前記物理アドレスを登録しておく第1登録領域と、前記複数の物理アドレスのうち、前記第1登録領域に登録されていない前記物理アドレスを登録しておく第2登録領域と、前記フラッシュメモリへのアクセスがライトアクセスのときについては、前記第1登録領域内の当該ライトアクセスに係る論理アドレスに対応する物理アドレスと前記第2登録領域内の一の物理アドレスとを交換する制御部と、を含むフラッシュメモリ内蔵半導体装置。

Fターム (1件)：

5B082FA05

引用特許：

審査官引用 (1件)

メモリシステム
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-042170 出願人：東京エレクトロン株式会社

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