特許
J-GLOBAL ID：200903085102367864
高シアノエチル化プルランの製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
川口 義雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-186553
公開番号（公開出願番号）：特開平5-025201
出願日： 1991年07月25日
公開日（公表日）： 1993年02月02日
要約：
【要約】【構成】 シアノエチル化置換率50〜90%のシアノエチル化プルランを非水溶媒中で塩基触媒の存在下シアノエチル化し、従来法では困難であったシアノエチル化置換率95〜100 %の高シアノエチル化プルランを製造する。【効果】 高シアノエチル化プルランは高誘電率を有し、EL素子用のバインダーとして使用するとき、高い輝度と長寿命を有するEL素子が得られる。
請求項（抜粋）：
シアノエチル化置換率50〜90%のシアノエチル化プルランを非水溶媒中で塩基触媒の存在下、その残存水酸基をシアノエチル化することを特徴とするシアノエチル化置換率95〜 100%の高シアノエチル化プルランの製造方法。
IPC (3件)：
C08B 37/00
, B01J 31/02 102
, C07B 61/00 300
