特許
J-GLOBAL ID：200903085103545804
多孔質半導体発光素子及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
梅田 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-072882
公開番号（公開出願番号）：特開平8-274375
出願日： 1995年03月30日
公開日（公表日）： 1996年10月18日
要約：
【要約】 (修正有)【構成】 第1の電極2と第2の電極5との間に、陽極化成条件をかえて作成した多孔質度の異なる多孔質シリコン層4が形成され、波長の異なる多孔質半導体発光素子を提供する。【効果】 複数個に分割した電極を用いて、複数回異なる条件で陽極化成を行うことにより、同一基板内に多孔質度が異なる多孔質シリコン発光層を比較的簡単な工程で形成でき、大面積の多色発光素子が安価に得られる。さらに脆い多孔質シリコン層の機械的強度が向上し、発光効率が安定し、向上する。
請求項（抜粋）：
絶縁性基板上に所定方向に配設された複数の第1の電極と、第1の電極と交差する方向に配設された複数の第2の電極と、複数の第1の電極と複数の第2の電極とが交差する各領域に挟持され、各領域での多孔質度が異なる多孔質シリコン発光層と、を備えたことを特徴とする多孔質半導体発光素子。
FI (2件)：
H01L 33/00 E
, H01L 33/00 F
