特許

J-GLOBAL ID：200903085105404213

半導体装置及びその製造方法

発明者： 中西 賢太郎 ,  小田中 紳二 ,  広木 彰
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 前田 弘 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-014269
公開番号（公開出願番号）：特開平11-214686
出願日： 1998年01月27日
公開日（公表日）： 1999年08月06日
要約：

【要約】【課題】 低しきい値電圧、低接合容量及び高駆動力を確保しながら短チャネル効果を抑制できるようにする。【解決手段】 半導体基板1におけるゲート電極3の両側端部及びサイドウォール4の直下には、n型不純物であるヒ素が低濃度に注入されてなる浅いソース・ドレイン拡散層5が形成され、ゲート電極3の中央部の直下にはp型不純物イオンであるボロンが拡散してなるしきい値制御用の第1のチャネル不純物拡散層6が形成されている。第1のチャネル不純物拡散層6は、中央部の低濃度領域6aと両側部の高濃度領域6bとから構成されており、該第1のチャネル不純物拡散層6及び浅いソース・ドレイン拡散層5の下側には、ボロンが拡散してなりレトログレードチャネルプロファイルを有するしきい値制御用の第2のチャネル不純物拡散層8が形成されている。

請求項（抜粋）：

半導体基板の上に形成されたゲート電極と、前記半導体基板におけるゲート長方向側にそれぞれ形成されたソース・ドレイン拡散層と、前記半導体基板における前記ゲート電極の下側に形成されたしきい値制御用のチャネル不純物拡散層とを備え、前記チャネル不純物拡散層は、ゲート長方向に不均一で且つ基板面に対する垂直方向にも不均一な不純物濃度を有しており、前記チャネル不純物拡散層の下端部の基板面からの距離は、前記ソース・ドレイン拡散層の下端部の基板面からの距離よりも小さいか又は等しいことを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 29/78 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (4件)：

H01L 29/78 301 H ,  H01L 29/78 301 S ,  H01L 29/78 616 A ,  H01L 29/78 618 F