特許

J-GLOBAL ID：200903085106373710

有機発光ダイオ-ドとモノリシックに集積化された薄膜トランジスタ

発明者： ゼナン バオ ,  アナンス ドダバラプア ,  ハワード イーダン カッツ ,  ヴェンカタラム レディ ラジュ ,  ジョン エー.ロジャース
出願人/特許権者： ルーセント テクノロジーズ インコーポレーテッド
代理人 (1件)： 岡部 正夫 (外11名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-148990
公開番号（公開出願番号）：特開2000-029403
出願日： 1999年05月28日
公開日（公表日）： 2000年01月28日
要約：

【要約】【課題】 本発明は、有機発光ダイオードとモノリシックに集積化された薄膜トランジスタを提供する。【解決手段】 1ないし複数の薄膜トランジスタが、発光ダイオードとモノリシックに集積化されたデバイスが、明らかにされている。薄膜トランジスタは、有機半導体層をもつ。デバイスは薄膜トランジスタと発光ダイオードの基板上への作製を集積化し、低価格作製技術を用いることにより、経済的に作製される。

請求項（抜粋）：

発光ダイオードは陽極、陰極及び陽極と陰極にはさまれた発光材料から成る少くとも1つの能動層を含み、薄膜トランジスタはソースからドレインへ流れる電流が、半導体材料を貫いてソースからドレインへ流れるように、ソース及びドレイン間に配置された半導体材料を含み、薄膜トランジスタ及び発光ダイオードが単一の一体となった基板上に形成され、薄膜トランジスタ及び発光ダイオードの能動層の少くとも1つの半導体材料は、有機材料である少くとも1個の薄膜トランジスタとモノリシックに集積化された発光ダイオードを含むデバイス。

IPC (4件)：

G09F 9/30 338 ,  H01L 29/786 ,  H05B 33/14 ,  H05B 33/26

FI (4件)：

G09F 9/30 338 ,  H05B 33/14 A ,  H05B 33/26 Z ,  H01L 29/78 613 Z

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 発光ダイオ-ド装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-113536   出願人：キヤノン株式会社
• 特開昭59-171189