特許

J-GLOBAL ID：200903085109221989

バンプ付きテープの製造方法及び半導体チップの製造方法並びにバンプ形成装置

発明者： 高崎 一
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  アキタ電子株式会社
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-008286
公開番号（公開出願番号）：特開平11-204582
出願日： 1998年01月20日
公開日（公表日）： 1999年07月30日
要約：

【要約】【目的】半導体装置の小型化・薄型化を実現し、かつ複雑な工程もなく容易に薄型のバンプを形成する。【構成】半導体チップの製造(バンプ形成)技術において、金属ワイヤ21の先端を溶融させてボール23を形成し、該ボール23を帯状のテープ部材10に圧着し、前記ワイヤ21を前記ボール23の近傍位置で切断し、前記テープ部材10上に前記バンプ4を形成し、前記テープ部材10上に形成された前記バンプ4を押圧体25により所定の高さまで押圧しバンプ付きテープ9を形成し、前記バンプ付きテープ9から半導体チップ2の電極パッド3に転写形成するように構成したことにより、前記バンプは押圧等の制限がなく、所望の高さのバンプを形成することができ、半導体装置の小型化・薄型化を実現可能となる。また、前記バンプを電解メッキ等の複雑な処理を用いずに形成しているため、容易に薄型のバンプを形成することができ、歩留の向上及びコストの低減を図ることができる。

請求項（抜粋）：

金属ワイヤの先端を溶融させてボールを形成し、該ボールを帯状のテープ部材に圧着する工程と、前記ワイヤを前記ボールの近傍位置で切断し、前記テープ部材上に前記バンプを形成する工程とを有するバンプ付きテープの製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/60 311 ,  H01L 21/60

FI (2件)：

H01L 21/60 311 W ,  H01L 21/92 604 J