特許
J-GLOBAL ID：200903085111230006
高周波半導体素子実装用パッケージおよびそれを用いた実装装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中村 純之助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-282577
公開番号（公開出願番号）：特開平7-135272
出願日： 1993年11月11日
公開日（公表日）： 1995年05月23日
要約：
【要約】【目的】信号線路の反射損失ならびに伝送損失を低減させ、かつ装置化が容易で安価な信頼性の高い高周波半導体素子実装用パッケージとそれを用いた半導体実装装置を提供する。【構成】高周波半導体素子実装用パッケージの側壁を構成するフレームの内壁に沿って、電極端子パターンを上平面に形成した絶縁体からなるステージを設け、少なくともフレームの1つ以上の壁面に貫通孔を設け、この貫通孔に、高周波同軸コネクタの構成部品である同軸ピンを直接嵌合し接続することが可能な構造の高周波同軸端子を設けると共に、高周波同軸端子の中心導体をステージ上の電極端子パターンに電気的・機械的に接続し一体に構成した高周波半導体素子実装用パッケージと半導体を実装した装置。【効果】高周波半導体実装装置の接続の信頼性、性能および生産性が向上し、コストが安価となる。
請求項（抜粋）：
高周波半導体素子を収容するキャビティと、上記半導体素子の電極端子と所定の電気接続を行うための電極端子パターンがパッケージ内部に設けられている高周波半導体素子実装用パッケージであって、上記パッケージの側壁を構成するフレームはセラミックもしくは絶縁性樹脂からなり、該フレームの内壁に沿って、上記電極端子パターンを上平面に形成した絶縁体からなるステージを設け、かつ、少なくとも上記フレームの1つ以上の壁面に貫通孔を設け、該貫通孔に、高周波同軸コネクタの構成部品である同軸ピンを直接嵌合し接続することが可能な構造の高周波同軸端子を設けると共に、該高周波同軸端子の中心導体を、上記ステージ上の電極端子パターンに電気的・機械的に接続し一体に構成したことを特徴とする高周波半導体素子実装用パッケージ。
引用特許：
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