特許
J-GLOBAL ID：200903085119509239
発光ダイオ-ド用エピタキシャルウエハの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中島 正
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-079018
公開番号（公開出願番号）：特開平6-268256
出願日： 1993年03月13日
公開日（公表日）： 1994年09月22日
要約：
【要約】【目的】気相エピタキシャル成長時における過剰補償を発生せしめることなくPN接合せしめ、これより発光する光を非常に効率よく外部に取り出すことが出来る橙色・黄色などの発光ダイオ-ド用エピタキシャルウエハの製造方法を提供するにある。【構成】 GaP単結晶基板上にPN接合を有するGaAs1-xPx(ここで、0.4≦X≦0.9)単結晶層を気相エピタキシャル成長させる発光ダイオ-ド用エピタキシャルウエハの製造方法において、窒素原子を含まないN型エピタキシャル単結晶層上に窒素原子を含む低濃度N型エピタキシャル単結晶層と、窒素原子を含む低濃度P型エピタキシャル単結晶層と、窒素原子を含まない高濃度P型エピタキシャル単結晶層とを順次積層状に成長させるようにしたものである。
請求項（抜粋）：
GaP単結晶基板上にPN接合を有するGaAs1-xPx(ここで、0.4≦X≦0.9)単結晶層を気相エピタキシャル成長させる発光ダイオ-ド用エピタキシャルウエハの製造方法において、窒素原子を含まないN型エピタキシャル単結晶層上に窒素原子を含む低濃度N型エピタキシャル単結晶層と、窒素原子を含む低濃度P型エピタキシャル単結晶層と、窒素原子を含まない高濃度P型エピタキシャル単結晶層とを順次積層状に成長させることを特徴とする発光ダイオ-ド用エピタキシャルウエハの製造方法。
IPC (2件)：
前のページに戻る
