特許

J-GLOBAL ID：200903085122186130

窒化珪素焼結体およびそれを用いた回路基板

発明者： 尾形 陽一 ,  江本 秀幸 ,  横田 博 ,  伊吹山 正浩
出願人/特許権者： 電気化学工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-192661
公開番号（公開出願番号）：特開2001-019555
出願日： 1999年07月07日
公開日（公表日）： 2001年01月23日
要約：

【要約】【課題】高熱伝導性で、機械的特性に優れる窒化珪素回路基板を提供する。【解決手段】酸素、Al、Ca、Feの含有量の合計が1000ppm以下であり、かつ短軸径が2μm以上である窒化珪素粒子を含有し、しかも前記窒化珪素粒子が一方向に配向していて、任意の一方向の熱伝導率が160W/mK以上である窒化珪素焼結体とそれを用いた窒化珪素回路基板。

請求項（抜粋）：

酸素、Al、Ca、Feの含有量の合計が1000ppm以下であり、かつ短軸径が2μm以上である窒化珪素粒子を含有し、しかも前記短軸径が2μm以上である窒化珪素粒子が一方向に配向していることを特徴とする窒化珪素焼結体。

IPC (2件)：

C04B 35/584 ,  C04B 35/64

FI (2件)：

C04B 35/58 102 C ,  C04B 35/64 C

Fターム (22件)：

4G001BA08 ,  4G001BA09 ,  4G001BA12 ,  4G001BA14 ,  4G001BA32 ,  4G001BA71 ,  4G001BA73 ,  4G001BB08 ,  4G001BB09 ,  4G001BB12 ,  4G001BB14 ,  4G001BB32 ,  4G001BB71 ,  4G001BB73 ,  4G001BC12 ,  4G001BC14 ,  4G001BC22 ,  4G001BC52 ,  4G001BD03 ,  4G001BE12 ,  4G001BE22 ,  4G001BE31

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 高熱伝導率窒化ケイ素質焼結体およびその製造方法ならびに窒化ケイ素質焼結体製絶縁基板
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-186003   出願人：日産自動車株式会社