特許
J-GLOBAL ID：200903085123299664
半導体装置の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
青木 朗 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-236463
公開番号（公開出願番号）：特開平5-074751
出願日： 1991年09月17日
公開日（公表日）： 1993年03月26日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、半導体装置の製造方法に関し、半導体表面を炭素や酸素等の不純物の付着が少なく、且つ準安定なものとして半導体装置を製造できる方法の提供を目的とする。【構成】 過酸化水素1モル当りのアンモニア量が180モルを超える混合水溶液で半導体基板表面を清浄化処理する工程を含む。
請求項（抜粋）：
半導体基板表面を、過酸化水素1モル当りのアンモニア量が180モルを超える混合水溶液で清浄化処理する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/304 341
, H01L 21/205
