特許
J-GLOBAL ID：200903085124304289
結晶中の欠陥濃度低減方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
松本 研一
, 小倉 博
, 伊藤 信和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-182067
公開番号（公開出願番号）：特開2004-161604
出願日： 2003年06月26日
公開日（公表日）： 2004年06月10日
要約：
【課題】結晶からスライスしたウエーハ上に成長させたエピタキシャル層や電子装置の品質が結晶の材料品質、特に欠陥濃度により制約されるので、結晶中の欠陥を修復してその上に作成する電子および光電子装置の性能・寿命を改良することが必要とされている。本発明は一般に結晶に関し、結晶中のボイド、マイクロパイプ、ナノパイプ、転位、格子欠陥、空孔及び歪み欠陥を修復する方法に関する。【解決手段】非ダイヤモンド結晶から高圧高温(HP/HT)で欠陥又は歪みを除去する方法であって、まず欠陥を含む結晶と圧力媒体を用意する。結晶及び圧力媒体を高圧セル内に入れ、高圧装置内に置き、単結晶中の欠陥又は歪みを除去するのに十分な高い圧力及び温度の反応条件下で十分な長さの時間処理する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
非ダイヤモンド結晶及び非晶質材料から選択される材料中の欠陥及び/又は歪みを除去する方法であって、
(a)欠陥及び/又は歪みを含む材料を圧力媒体中に置き、
(b)前記材料及び圧力媒体を高圧セル内に入れ、
(c)前記セルを高圧装置内で反応条件下、材料中の欠陥又は歪みを除去するのに十分な高い圧力及び温度で十分な長さの時間処理する
工程を含む、材料中の欠陥及び/又は歪みを除去する方法。
IPC (2件)：
FI (3件)：
C30B33/02
, H01L21/324 C
, H01L21/324 X
4G077AA02
, 4G077BA04
, 4G077BA05
, 4G077BB07
, 4G077BB10
, 4G077BC00
, 4G077BE00
, 4G077BE08
, 4G077BE15
, 4G077BE46
, 4G077FE10
, 4G077FK07
, 4G077GA01
, 4G077GA02
, 4G077HA01
, 4G077HA02
, 4G077HA06
, 4G077HA11
, 4G077HA12
