特許
J-GLOBAL ID：200903085144146760
半導体集積回路の検査方法及び外形検査装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-301397
公開番号（公開出願番号）：特開平7-151700
出願日： 1993年12月01日
公開日（公表日）： 1995年06月16日
要約：
【要約】【目的】ICの検査方法および外形検査装置において、複数の異なる規格の検査工程と複数回測定による統計的推定値算出により良品を不良品と誤判定する虚報率の低減を目的とする。【構成】外形検査装置の測定誤差が大きい場合、不良流出防止のため測定系誤差の3倍(3σ)の規格マージンを設定する検査方法において、工程51(測定値mが規格値Sp-3σに等しいかそれ以下かを比較判定)、工程52(測定値mが規格値Sp-3σより大きいかを比較判定)および工程70(測定値の平均値が規格値Sp-3σに等しいかそれ以下かを比較判定)のように規格の異なる3つの工程を有する。良品でも不良品でもない領域については複数回測定を繰り返して平均値を求め、中心極限定理により測定誤差を小さくすることで統計的に精度を上げて判定することにより虚報率を抑制する。
請求項（抜粋）：
半導体集積回路の外形検査であって検査対象事象の大きさに比べこの検査対象事象を測定する検査方法の精度が所定値以上の測定誤差を有するとともに、保証規格以下に第1の良否判点基準を設定し、検査結果がこの第1の良否判定基準以下の被測定半導体集積回路を良品と判断する第1の検査工程を備えた半導体集積回路の検査方法において、前記第1の検査工程で良品でないと判断された前記被測定半導体集積回路に対して前記保証規格を前記測定誤差分だけ上回る第2の良否判定基準を適用して検査しその検査結果が前記第2の良否判定基準より大きい前記被測定半導体集積回路を不良品と判断する第2の検査工程と、前記第1の検査工程で良品でないと判断され、かつ前記第2の検査工程で不良品ではないと判断された前記被測定半導体集積回路に対してさらに複数回の前記第1および前記第2の検査工程をそれぞれ実施することによって前記測定誤差内の真値の推定値を算出するとともに、この推定値および前記保証規格を比較しその比較結果が前記保証値以下の前記被測定半導体集積回路を良品とし、それ以外の前記被測定半導体集積回路を不良品と判断する第3の検査工程とを備えることを特徴とする半導体集積回路の検査方法。
IPC (5件)：
G01N 21/88
, G01B 11/24
, G01R 31/00
, G01R 31/26
, G01R 31/28
