特許
J-GLOBAL ID：200903085146187804
ドライエッチング方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高月 亨
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-223394
公開番号（公開出願番号）：特開平6-097125
出願日： 1992年07月30日
公開日（公表日）： 1994年04月08日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 高選択比のエッチングを達成でき、しかもエッチング後の保護膜の除去が容易となるアルミニウム系材料のエッチング方法を提供する。【構成】 アルミニウム系材料層10を有する下地層を、該下地層上に選択的に形成されたレジストパターン8をマスクにエッチングするドライエッチング方法において、下地層のレジストパターンに接する部分にアンダカット14を入れた後、下地層を異方性エッチングする。
請求項（抜粋）：
アルミニウム系材料層を有する下地層を、該下地層上に選択的に形成されたレジストパターンをマスクにエッチングするドライエッチング方法において、前記下地層の前記レジストパターンに接する部分にアンダカットを入れた後、前記下地層を異方性エッチングすることを特徴とするドライエッチング方法。
IPC (2件)：
H01L 21/302
, H01L 21/3205
