特許
J-GLOBAL ID：200903085157500717
縦型MOSFET装置とその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 敏明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-192207
公開番号（公開出願番号）：特開平6-037323
出願日： 1992年07月20日
公開日（公表日）： 1994年02月10日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、縦型MOSFETを有する半導体装置に関するもので、エッチングによる結晶ダメージが残らず、ゲート領域の酸化膜厚を厚くでき、製造工程でのマスク数を減らし、ゲート、ソース領域をより縮小できる方法を提供することを目的とする。【構成】 本発明は、ソース領域である拡散層111をゲート領域17の上側部に接して斜めに形成し、その下層と平坦部分にバックゲート領域110と113を形成するようにして、その平坦部分のバックゲート領域113表面と前記ソース領域111表面が配線金属114と接するように形成したものである。他の実施例としては、ソース領域も平坦にし、その一部を開口して、そこにバックゲート領域を埋め込むようにした。
請求項（抜粋）：
(a)第1導電型半導体基板上に、少なくとも第1の導電層と第1の絶縁膜を順に形成し、該第1の導電層と絶縁膜の所定位置に開口部を設ける工程、(b)前記開口部の側面に露出された前記第1の導電膜面に第2の絶縁膜を形成し、その開口部を第2の導電層で埋める工程、(c)前記開口部を埋めた第2導電層の上部を第3の絶縁膜にしてバーズビークができるよう形成し、前記開口部上側部の前記第1の絶縁膜を庇状にした後、前記第3の絶縁膜を除去する工程、(d)前記(c)工程で露出した前記第2の導電層上部に第4の絶縁膜を形成し、また同じく露出している前記第1の導電層表面に第2導電型の拡散層を形成し、該拡散層の表面にさらに第1導電型の拡散層を形成する工程、(e)残っている前記第1の絶縁膜を除去し、除去したあとに露出した前記第1の導電層表面に第2導電型の拡散層を形成する工程、(f)全面に配線金属を形成する工程、以上の工程を含むことを特徴とする縦型MOSFET装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 29/784
, H01L 21/336
H01L 29/78 321 V
, H01L 29/78 321 P
