特許

J-GLOBAL ID：200903085161498840

EUV光源用コレクタ

発明者： パートロ ウィリアム エヌ ,  アルゴッツ ジェイ マーティン ,  ブルーメンストック ゲリー エム ,  ボーヴェリンク ノルベルト ,  アーショフ アレクサンダー アイ ,  フォーメンコフ イゴー ヴィー ,  パン シャオジャン ジェイ
出願人/特許権者： サイマー インコーポレイテッド
代理人 (4件)： 熊倉 禎男 ,  大塚 文昭 ,  西島 孝喜 ,  須田 洋之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-101959
公開番号（公開出願番号）：特開2007-298980
出願日： 2007年04月09日
公開日（公表日）： 2007年11月15日
要約：

【課題】EUV光源におけるEUVコレクタの反射表面からデブリを除去するための方法を提供する。【解決手段】第一の材料からなる反射表面および第二の材料および/または第二の材料の化合物からなるデブリを含んでなり、前記システムおよび方法は、制御されたスパッタリングイオン源と(該イオン源は前記スパッタリングイオン材料の原子を含有するガスを含んでよく)、前記スパッタリング材料の原子をイオン化された状態に励起する誘導機構とを含んでよく、前記イオン化された状態は、前記第二の材料をスパッタリングする高い可能性、および前記第一の材料をスパッタリングする非常に低い可能性を有する選択されたエネルギーピークの周囲の分布を有するように選択される。【選択図】図9

請求項（抜粋）：

EUV反射表面を形成する多層反射コーティングであって: SiC、ZrCおよびNbCからなる群から選択される炭化物を含有する相互拡散バリア層を具備してなるコーティング。

IPC (2件)：

G02B 5/10 ,  H01L 21/027

FI (2件)：

G02B5/10 C ,  H01L21/30 531S

Fターム (10件)：

2H042DA08 ,  2H042DA12 ,  2H042DB02 ,  2H042DC02 ,  2H042DD06 ,  2H042DD08 ,  2H042DD09 ,  2H042DE04 ,  5F046GB01 ,  5F046GC05

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平2-053001
  
• 特開平1-094300
  
• 特開昭63-161403