特許

J-GLOBAL ID：200903085162437284

圧電体薄膜素子およびインクジェット記録装置ならびにその製造方法

発明者： 藤井 覚 ,  高山 良一
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (3件)： 岩橋 文雄 ,  坂口 智康 ,  内藤 浩樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-354082
公開番号（公開出願番号）：特開2004-186574
出願日： 2002年12月05日
公開日（公表日）： 2004年07月02日
要約：

【課題】Pb含有ペロブスカイト材料は比誘電率が高いため、オン/オフを繰り返すアクチュエータの場合には高速駆動の実現やデバイスの低コスト化には課題があった。また、前記材料では圧電体薄膜形成時におけるPb蒸発を防ぐためにPb過剰雰囲気で作製されるため、圧電体薄膜中に過剰Pbが存在する場合があり、それが圧電体薄膜のリーク電流の増加につながり、信頼性が低下した。【解決手段】Pb含有ペロブスカイト圧電材料と非Pb含有圧電体材料を積層することで比誘電率を低下させて高速駆動を可能にするとともに、表面への過剰Pbの拡散を防止することで信頼性を向上させる。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

圧電体薄膜と、前記圧電体薄膜の両面に形成された第1および第2電極から構成される圧電体素子であって、前記圧電体薄膜が、少なくとも1層からなるPbを含有するペロブスカイト材料から構成される第1圧電体薄膜と、Pb以外の材料から構成される第2圧電体薄膜との積層構造であることを特徴とする圧電体薄膜素子。

IPC (9件)：

H01L41/09 ,  B41J2/045 ,  B41J2/055 ,  B41J2/16 ,  H01L41/08 ,  H01L41/18 ,  H01L41/187 ,  H01L41/193 ,  H01L41/22

FI (12件)：

H01L41/08 C ,  H01L41/08 J ,  H01L41/22 Z ,  H01L41/08 D ,  H01L41/18 101Z ,  H01L41/18 101B ,  H01L41/08 Z ,  H01L41/18 101A ,  H01L41/18 102 ,  B41J3/04 103A ,  B41J3/04 103H ,  H01L41/18 101D

Fターム (11件)：

2C057AF64 ,  2C057AF67 ,  2C057AF93 ,  2C057AG42 ,  2C057AG44 ,  2C057AG47 ,  2C057AP14 ,  2C057AP25 ,  2C057AP31 ,  2C057BA04 ,  2C057BA14