特許
J-GLOBAL ID：200903085168571950
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大胡 典夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-163685
公開番号（公開出願番号）：特開平8-031778
出願日： 1994年07月15日
公開日（公表日）： 1996年02月02日
要約：
【要約】【目的】 従来の半導体基板の裏面工程における問題点を解決するように改良された半導体基板の裏面工程を提供する。【構成】 半導体基板の一方の主面を、第一の温度以上で粘着力の無くなる第一の粘着シート21を用いて第一の支持基板に貼り付け前記半導体基板の裏面に加工を施す工程と、前記半導体基板の他方の主面を、前記第一の粘着シートよりさらに高温度で粘着力の無くなる第二の粘着シート22を用いて第二の支持基板に貼り付け前記第一の支持基板を前記第一の温度まで加熱し前記半導体基板より取外す工程とを含む半導体装置の製造方法。
請求項（抜粋）：
半導体基板の一方の主面を、第一の温度以上で粘着力の無くなる第一の粘着シートを用いて第一の支持基板に貼り付ける工程と、前記半導体基板の裏面に加工を施す工程と、前記半導体基板の他方の主面を、前記第一の粘着シートよりさらに高温度で粘着力の無くなる第二の粘着シートを用いて第二の支持基板に貼り付ける工程と、前記第一の支持基板を前記第一の温度まで加熱し前記半導体基板より取外す工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/304 321
, H01L 21/304
, H01L 21/02
