特許
J-GLOBAL ID：200903085169128740
半導体レーザ装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
滝本 智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-002060
公開番号（公開出願番号）：特開平10-198999
出願日： 1997年01月09日
公開日（公表日）： 1998年07月31日
要約：
【要約】【課題】 従来の半導体レーザ装置では、半導体レーザ素子からの前方出射光の一部が、前方出射光モニタ用受光素子(モニタ用受光素子)に直接入射されていたので、戻り光や装置内で発生した迷光成分がモニタ用受光素子に入り込み、正確な光量制御を行うことが困難であった。【解決手段】 本発明の半導体レーザ装置は、半導体レーザ素子1の前方出射光端面の近傍にモニタ用受光素子13が配置され、前方出射光5の一部をモニタ用受光素子に導く手段18を備えた構造のものであり、前記モニタ用受光素子に導く手段18により、戻り光や装置内部に発生した迷光成分がモニタ用受光素子13に入り込むのを防ぐことができる。このため正確な前方出射光5の光量制御を行うことができる。
請求項（抜粋）：
半導体レーザ素子の前方出射光端面の近傍に、出射方向に対して垂直方向に前方出射光出力モニタ用受光素子が配置され、前記半導体レーザ素子からの前方出射光の一部が、前記前方出射光出力モニタ用受光素子に導く手段を介して前記前方出射光出力モニタ用受光素子に入射される構造を特徴とする半導体レーザ装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
引用特許：
前のページに戻る
