特許

J-GLOBAL ID：200903085172337202

SOI型半導体基板およびその製造方法

発明者： 高岡 松雄
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-218982
公開番号（公開出願番号）：特開平5-055359
出願日： 1991年08月29日
公開日（公表日）： 1993年03月05日
要約：

【要約】【目的】 SOI型半導体基板とその製造方法に関し、結晶欠陥の生じにくいSOI型半導体基板を提供することを目的とする。【構成】 所定温度以上の高温で処理された多結晶半導体基板と、前記多結晶半導体基板上に配置され、前記所定温度で応力を緩和できる粘性を示す絶縁物の膜と、前記絶縁物の膜上に配置された単結晶半導体層とを有する。

請求項（抜粋）：

所定温度以上の高温で処理された多結晶半導体基板(1)と、前記多結晶半導体基板上に配置され、前記所定温度で応力を緩和できる粘性を示す絶縁物の膜(2)と、前記絶縁物の膜上に配置された単結晶半導体層(3)とを有するSOI型半導体基板。

IPC (5件)：

H01L 21/76 ,  H01L 21/02 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/205 ,  H01L 27/12