特許
J-GLOBAL ID：200903085175158082
半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-051977
公開番号（公開出願番号）：特開平9-246527
出願日： 1996年03月08日
公開日（公表日）： 1997年09月19日
要約：
【要約】【課題】 本発明は、伝導型や抵抗率の制御性の向上を図る。【解決手段】 浅いドナー準位で濃度Ndのドナー元素と、浅いアクセプタ準位で濃度Naのアクセプタ元素とがNd>Naの関係を有してほぼ均一に分布された半導体層(13)に対し、浅いドナー準位のドナー元素を不活性化させるための不活性化元素が添加されることにより、不活性化元素の存在する領域(15)がp型領域に反転される半導体装置。
請求項（抜粋）：
浅いドナー準位で濃度Ndのドナー元素と、浅いアクセプタ準位で濃度Naのアクセプタ元素とがNd>Naの関係を有してほぼ均一に分布され、且つ前記浅いドナー準位のドナー元素を不活性化させるための不活性化元素を含有する半導体層を備えた半導体装置であって、前記不活性化元素が水素、フッ素、酸素、塩素のいずれか1種類の元素であり、且つ前記不活性化元素の存在する領域がp型領域であることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 29/778
, H01L 21/338
, H01L 29/812
