特許
J-GLOBAL ID：200903085176150220
位相シフトマスク及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高橋 光男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-237408
公開番号（公開出願番号）：特開平7-064274
出願日： 1993年08月30日
公開日（公表日）： 1995年03月10日
要約：
【要約】【目的】 製造裕度が広くとれる位相シフトマスクを提供する。【構成】 主パターンと補助パターンとを含む位相シフトマスクにおいて、補助パターンのシフタ材料が、制御された光透過率を有する材料として形成される。大きな幅の補助パターンにより、充分な主パターン内の光ピーク強度と、規定値以下の2次光ピーク強度とが得られ、パターン形成領域の解像度が向上する。大きな幅の補助パターンを採用することにより、マスクの製造裕度が大きくとれる。ハーフトーン位相シフトマスクに応用すると、半遮光膜の製造工程が省かれる。
請求項（抜粋）：
第一の光透過領域と、該第一の光透過領域に近接して配置され、該第一の光透過領域を透過した光と異なる位相を有する透過光を与える第二の光透過領域とを含む位相シフトマスクにおいて、前記第二の光透過領域を形成するシフタ材料が、制御された光透過率を有する材料から形成されることを特徴とする位相シフトマスク。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/30 502 P
, H01L 21/30 528
