特許
J-GLOBAL ID:200903085178592565
シリカベース導波管のレーザ利用熱分極処理
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
安達 光雄 (外2名)
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-523912
公開番号(公開出願番号):特表2003-509720
出願日: 2000年09月14日
公開日(公表日): 2003年03月11日
要約:
【要約】シリカベースの導波管(12)を熱で分極処理する方法であって、導波管(12)の一部分を電界に(例えば、導波管のホール中に挿入された毛管電極(22,24)によって)暴露し;電界に暴露されている前記部分にレーザビーム(18)を向け、直接吸収によって前記部分の局部的加熱を行い;次いでレーザビーム(18)を、前記部分にそって選択された速度で走査させて、前記部分を、その部分のガラス転移温度を超えて加熱することを防止する方法。レーザビーム(18)を走査しながら電界を入れかえることは周期的に分極処理された格子の形成を可能にする。導波管(12)は光ファイバーを備えることができる。
請求項(抜粋):
シリカベースの導波管を熱で分極処理する方法であって、下記ステップ: 導波管の一部分を電界に暴露し、 電界に暴露されている前記部分にレーザビームを向け、 前記部分を選択された電力密度で照射して、レーザ線を直接吸収させることによって前記部分内の導波管の局部的加熱を行い、次いで レーザビームを、前記部分にそって選択された速度で走査させて、前記部分を、その部分のガラス転移温度を超えて加熱することを防止する、ステップを含んでなる方法。
IPC (3件):
G02F 1/01
, G02B 6/12
, G02B 6/13
FI (3件):
G02F 1/01 C
, G02B 6/12 M
, G02B 6/12 J
Fターム (7件):
2H047KA03
, 2H047PA00
, 2H079AA02
, 2H079BA03
, 2H079CA05
, 2H079EA03
, 2H079EA09
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