特許

J-GLOBAL ID：200903085180184385

大規模な型を写真食刻するためのレティクル並びに方法

発明者： クロード イー.テュー ,  フランク ジェイ.ポラディッシュ
出願人/特許権者： テキサス インスツルメンツ インコーポレイテツド
代理人 (1件)： 浅村 皓 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-315594
公開番号（公開出願番号）：特開平6-301197
出願日： 1993年12月15日
公開日（公表日）： 1994年10月28日
要約：

【要約】【目的】大規模集積回路のためのウェファの層を露光するために使用される、改善されたレティクルならびに方法を提供する。【構成】集積回路を非繰り返しパターンと繰り返しパターンとに分割し、非繰り返しパターンが、連続した繰り返しパターンが含まれる中央領域とは区別されて、周辺領域内に配置されるように設計する。レティクルを繰り返しおよび非繰り返しパターンを表わす異なるマスクを具備した、複数のマスクでパターン化する。繰り返しパターンを表わすマスクは、ステップ移動しながら複数回照射して集積回路の部分を作成し、その際、非繰り返しパターンを表わすいずれのマスクもブロックして、別々に照射する。

請求項（抜粋）：

写真食刻技術により製造される素子の層を露光するためのレティクルであって:ひとつの透明な基板と;繰り返されない構成部品の組を露光するための第一パターンを有する、前記基板上の非繰り返しマスクと;そして繰り返される構成部品の連続的にステップ的に隣接する組を露光するための第二パターンを有する、前記基板上にパターン化された繰り返し式マスクとを含む、写真食刻技術により製造される素子の層を露光するためのレティクル。

IPC (2件)：

G03F 1/08 ,  H01L 21/027

FI (3件)：

H01L 21/30 502 P ,  H01L 21/30 514 B ,  H01L 21/30 515 F

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平4-177347
  
• 特開昭62-145730
  
• 特開平4-177347
  
• 特開昭62-145730