特許

J-GLOBAL ID：200903085185282679

窒化物結晶基板の製造方法及び窒化物結晶基板

発明者： 柴田 真佐知 ,  大島 祐一
出願人/特許権者： 日立電線株式会社
代理人 (1件)： 絹谷 信雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-320517
公開番号（公開出願番号）：特開2003-128499
出願日： 2001年10月18日
公開日（公表日）： 2003年05月08日
要約：

【要約】【課題】 クラックや反りの無い大型の窒化ガリウム単結晶基板が得られる窒化物結晶基板の製造方法及び窒化物結晶基板を提供する。【解決手段】 成長用基板8の上にIII族元素の窒化物結晶のエピタキシャル成長層9が形成された反りのある窒化物結晶基板6を、一旦、成長温度近傍まで加熱用ヒータで加熱すると共に台座2及びプレス板4の平行平面間に挟み、反りを矯正した状態で冷却することにより、反りの無い平坦な窒化物結晶基板6とすることができる。窒化物結晶基板6の反りをなくすことにより、成長用基板8の除去加工が容易になり、クラックや反りの無い大型のIII族窒化物結晶の自立基板が得られる。

請求項（抜粋）：

III族元素の窒化物結晶を成長用基板上でエピタキシャル成長させ、得られた窒化物結晶基板を上記窒化物結晶の成長温度近傍まで加熱すると共に反りを矯正するため平行平面の間に挟み、そのまま室温まで冷却することを特徴とする窒化物結晶基板の製造方法。

IPC (4件)：

C30B 29/38 ,  C23C 16/34 ,  H01L 21/02 ,  H01L 21/205

FI (4件)：

C30B 29/38 D ,  C23C 16/34 ,  H01L 21/02 B ,  H01L 21/205

Fターム (26件)：

4G077AA03 ,  4G077BE15 ,  4G077DB08 ,  4G077ED06 ,  4G077FE10 ,  4G077FJ03 ,  4G077HA02 ,  4G077TA04 ,  4G077TB05 ,  4G077TK01 ,  4K030AA11 ,  4K030AA13 ,  4K030BA08 ,  4K030BA38 ,  4K030BB02 ,  4K030CA05 ,  4K030DA03 ,  4K030DA09 ,  4K030FA10 ,  5F045AB14 ,  5F045AC03 ,  5F045AC12 ,  5F045AF09 ,  5F045BB11 ,  5F045DB02 ,  5F045GH08